| 热(rè)門(mén)搜索: 压敏電(diàn)阻 热(rè)敏電(diàn)阻 温(wēn)度(dù)傳感(gǎn)器 |
压敏電(diàn)阻采購,就(jiù)選源林(lín)電(diàn)子,更(gèng)專業
压敏電(diàn)压
压敏電(diàn)压是(shì)指在(zài)電(diàn)流为(wèi)1mA时(shí)測得的(de)压敏電(diàn)阻器两(liǎng)端的(de)電(diàn)压降,它(tā)沒(méi)考慮压敏電(diàn)阻器的(de)尺(chǐ)寸(cùn);E0.5是(shì)指在(zài)電(diàn)流为(wèi)0.5mA/cm2下(xià)測得的(de)加在(zài)压敏電(diàn)阻器上(shàng)的(de)電(diàn)场(chǎng)強(qiáng)度(dù);C值是(shì)指在(zài)電(diàn)流为(wèi)1A(也(yě)有(yǒu)的(de)地(dì)方(fāng)说(shuō)1mA,但差别不(bù)大(dà))时(shí)压敏電(diàn)阻器两(liǎng)端的(de)電(diàn)压降。在(zài)n个(gè)相同(tóng)的(de)压敏電(diàn)阻器串聯或(huò)並(bìng)聯时(shí)C值的(de)變(biàn)化(huà)如(rú)下(xià):
a)串聯时(shí)電(diàn)流不(bù)變(biàn),電(diàn)压增大(dà)n倍,这(zhè)时(shí)C值提(tí)高n倍,可(kě)利用(yòng)压敏電(diàn)阻器串聯来(lái)提(tí)高工作(zuò)電(diàn)压。
V=nCI1/α=(nC)I1/α=C’I1/α
b)並(bìng)聯时(shí)電(diàn)压不(bù)變(biàn),電(diàn)流增大(dà)n倍,C值幾(jǐ)乎不(bù)變(biàn),可(kě)利用(yòng)压敏電(diàn)阻器的(de)並(bìng)聯来(lái)提(tí)高通(tòng)流容量(liàng)。
I=n(V/C)α=[V/(Cn–1/α)]α=(V/C’)α

源林(lín)電(diàn)子(www.jqmi.com.cn)压敏電(diàn)阻免費取(qǔ)樣(yàng),一(yī)个(gè)電(diàn)話(huà)搞定(dìng)!






压敏電(diàn)阻采購,就(jiù)選源林(lín)電(diàn)子,自(zì)有(yǒu)工廠(chǎng)
ZnO压敏電(diàn)阻器的(de)结構:
晶粒(lì)體(tǐ)为(wèi)電(diàn)阻率很低(dī)的(de)半導體(tǐ),晶界为(wèi)絕緣體(tǐ),類(lèi)似邊(biān)界层(céng)電(diàn)容器,另(lìng)在(zài)晶界形成(chéng)两(liǎng)背靠背的(de)肖特(tè)基勢壘。因邻近(jìn)晶粒(lì)的(de)取(qǔ)向(xiàng)不(bù)同(tóng),两(liǎng)晶粒(lì)交界處(chù)结構松弛,雜質(zhì)占據(jù)这(zhè)些位(wèi)置比占據(jù)體(tǐ)內(nèi)晶格位(wèi)置的(de)能(néng)量(liàng)低(dī),所(suǒ)以容易在(zài)晶界偏析。

源林(lín)電(diàn)子(www.jqmi.com.cn)是(shì)一(yī)家專業研發(fà)、生(shēng)産压敏電(diàn)阻的(de)高科技電(diàn)子元(yuán)器件(jiàn)企業。主營压敏電(diàn)阻、热(rè)敏電(diàn)阻和(hé)温(wēn)度(dù)傳感(gǎn)器,自(zì)有(yǒu)研發(fà)团(tuán)隊,廠(chǎng)家直(zhí)銷!
您好,歡迎莅臨源林(lín)電(diàn)子,歡迎咨詢...
![]() 触屏版二(èr)維碼 |